Número de Producto del Fabricante:
KFJ4B01120L
Product Overview
Fabricante:
Nuvoton Technology Corporation
Número de pieza:
KFJ4B01120L-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 12V
Descripción Detallada:
P-Channel 12 V 2.6A (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount 4-CSP (1x1)
Inventario:
12979515
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ENVIAR
KFJ4B01120L Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nuvoton Technology Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
51mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 2mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
10.7 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
814 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
370mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
4-CSP (1x1)
Paquete / Caja
4-XFLGA, CSP
Número de producto base
KFJ4
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
816-KFJ4B01120LTR
816-KFJ4B01120LCT
Q14964327
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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