Número de Producto del Fabricante:
BSN254,126
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
BSN254,126-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 310MA TO92-3
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 310mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole TO-92-3
Inventario:
12810110
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ENVIAR
BSN254,126 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
310mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.4V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5Ohm @ 300mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
120 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-92-3
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Número de producto base
BSN2
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
BSN254 AMO
934004930126
BSN254 AMO-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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