Número de Producto del Fabricante:
BSP100,135
Product Overview
Fabricante:
NXP Semiconductors
Número de pieza:
BSP100,135-DG
Descripción:
NEXPERIA BSP100 - 3.5A, 30V, 0.1
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 3.2A (Ta) 8.3W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventario:
23578 Pcs Nuevos Originales En Stock
12967858
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
BSP100,135 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
Bulk
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.8V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
250 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
8.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-223
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,480
Otros nombres
2156-BSP100,135-954
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Vendor Undefined
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
RF1K4909396
RF1K4909396 - POWER FIELD-EFFECT
PSMN009-100P,127
NEXPERIA PSMN009-100P - 75A, 100
NTNS41006PZTCG
NTNS41006 - SINGLE P?CHANNEL SMA