Número de Producto del Fabricante:
BUK652R7-30C,127
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
BUK652R7-30C,127-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 204W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
12867376
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ENVIAR
BUK652R7-30C,127 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
-
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.8V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6960 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
204W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
BUK65
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
954-BUK652R7-30C127
NEXNXPBUK652R7-30C,127
568-7494-5
934064251127
BUK652R7-30C,127-DG
BUK652R730C127
2156-BUK652R7-30C127-NX
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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