Número de Producto del Fabricante:
BUK6E2R0-30C127
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
BUK6E2R0-30C127-DG
Descripción:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 120A (Tc) 306W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventario:
12931772
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ENVIAR
BUK6E2R0-30C127 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
-
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.2mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.8V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
229 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
14964 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
306W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I2PAK
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
329
Otros nombres
NEXNXPBUK6E2R0-30C127
2156-BUK6E2R0-30C127
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
Not applicable
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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