Número de Producto del Fabricante:
BUK7E4R3-75C,127
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
BUK7E4R3-75C,127-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 75 V 100A (Tc) 333W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventario:
13066430
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ENVIAR
BUK7E4R3-75C,127 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
-
Serie
TrenchMOS™
Embalaje
Tube
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
75 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
142 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11659 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
333W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I2PAK
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
BUK7
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
BUK7E4R3-75C,127-ND
BUK7E4R375C127
568-6630
NEXNXPBUK7E4R3-75C,127
2156-BUK7E4R3-75C127-NX
934060123127
568-6630-5
568-6630-ND
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFSL3207ZPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
880
NÚMERO DE PIEZA
IRFSL3207ZPBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.46
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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