BUK9E04-30B,127
Número de Producto del Fabricante:

BUK9E04-30B,127

Product Overview

Fabricante:

NXP USA Inc.

Número de pieza:

BUK9E04-30B,127-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 75A (Tc) 254W (Tc) Through Hole I2PAK

Inventario:

13066337
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BUK9E04-30B,127 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
-
Serie
TrenchMOS™
Embalaje
Tube
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
75A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
56 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6526 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
254W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I2PAK
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
BUK9

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
BUK9E04-30B
BUK9E04-30B,127-ND
954-BUK9E04-30B127
BUK9E04-30B-ND
568-6637-5
2156-BUK9E04-30B127
934058069127
NEXNXPBUK9E04-30B,127
568-6637
568-6637-ND
BUK9E0430B127

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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