Número de Producto del Fabricante:
BUK9E6R1-100E,127
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
BUK9E6R1-100E,127-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventario:
12810057
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BUK9E6R1-100E,127 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
-
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.9mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
133 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
17460 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
349W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I2PAK
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
BUK9
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
NEXNXPBUK9E6R1-100E,127
2156-BUK9E6R1-100E127-NX
BUK9E6R1100E127
934066517127
568-9877-5
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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