Número de Producto del Fabricante:
PDTC114ET215
Product Overview
Fabricante:
NXP Semiconductors
Número de pieza:
PDTC114ET215-DG
Descripción:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 230 MHz 250 mW Surface Mount SOT23-3 (TO-236)
Inventario:
12947774
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ENVIAR
PDTC114ET215 Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pre-biasados individuales
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
NPN - Pre-Biased
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50 V
Resistencia - Base (R1)
10 kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
10 kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
30 @ 5mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
1µA
Frecuencia - Transición
230 MHz
Potencia - Máx.
250 mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT23-3 (TO-236)
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
2156-PDTC114ET215-NXP
NEXPHIPDTC114ET215
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificación DIGI
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