Número de Producto del Fabricante:
PDTD114EQA147
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
PDTD114EQA147-DG
Descripción:
TRANS PREBIAS
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 210 MHz 940 mW Surface Mount DFN1010D-3
Inventario:
12968602
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ENVIAR
PDTD114EQA147 Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pre-biasados individuales
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
-
Serie
PDTD114EQA
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
NPN - Pre-Biased
Corriente - Colector (Ic) (Max)
500 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50 V
Resistencia - Base (R1)
10 kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
10 kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
70 @ 50mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
100mV @ 2.5mA, 50mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
500nA
Frecuencia - Transición
210 MHz
Potencia - Máx.
940 mW
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
3-XDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivos del proveedor
DFN1010D-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
8,219
Otros nombres
2156-PDTD114EQA147
NEXNXPPDTD114EQA147
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
Not applicable
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificación DIGI
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