Número de Producto del Fabricante:
PH6030L,115
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
PH6030L,115-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 76.7A LFPAK56
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 76.7A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventario:
12811996
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ENVIAR
PH6030L,115 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
76.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.15V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15.2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2260 pF @ 12 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
LFPAK56, Power-SO8
Paquete / Caja
SC-100, SOT-669
Número de producto base
PH60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
PH6030L T/R-DG
PH6030L T/R
934061643115
954-PH6030L115
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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