Número de Producto del Fabricante:
PHB110NQ08T,118
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
PHB110NQ08T,118-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 75 V 75A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventario:
750 Pcs Nuevos Originales En Stock
12947364
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ENVIAR
PHB110NQ08T,118 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
Bulk
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
75 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
75A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
113.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4860 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
230W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
260
Otros nombres
2156-PHB110NQ08T,118
NEXNXPPHB110NQ08T,118
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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