PHK12NQ03LT,518
Número de Producto del Fabricante:

PHK12NQ03LT,518

Product Overview

Fabricante:

NXP Semiconductors

Número de pieza:

PHK12NQ03LT,518-DG

Descripción:

NEXPERIA PHK12NQ03LT - 11.8A, 30
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 11.8A (Tj) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Inventario:

6500 Pcs Nuevos Originales En Stock
12967940
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PHK12NQ03LT,518 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
Bulk
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11.8A (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10.5mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
17.6 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1335 pF @ 16 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SO
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
987
Otros nombres
2156-PHK12NQ03LT,518-954

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Vendor Undefined
Estado de REACH
REACH Unaffected
Certificación DIGI
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