PMPB33XP,115
Número de Producto del Fabricante:

PMPB33XP,115

Product Overview

Fabricante:

NXP USA Inc.

Número de pieza:

PMPB33XP,115-DG

Descripción:

NOW NEXPERIA PMPB33XP - 5.5A, 20
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 5.5A (Ta) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN1010B-6

Inventario:

31498 Pcs Nuevos Originales En Stock
12947248
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PMPB33XP,115 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
37mOhm @ 5.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
900mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
23 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1575 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DFN1010B-6
Paquete / Caja
6-XFDFN Exposed Pad

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
PMPB33xP,115 Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar
3,206
Otros nombres
2156-PMPB33XP,115
NEXNEXPMPB33XP,115

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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