PMWD30UN,518
Número de Producto del Fabricante:

PMWD30UN,518

Product Overview

Fabricante:

NXP USA Inc.

Número de pieza:

PMWD30UN,518-DG

Descripción:

MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 5A 2.3W Surface Mount 8-TSSOP

Inventario:

12811658
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PMWD30UN,518 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
-
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5A
rds activados (máx.) @ id, vgs
33mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
700mV @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
28nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1478pF @ 10V
Potencia - Máx.
2.3W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-TSSOP
Número de producto base
PMWD30

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
568-2364-1
568-2364-2
PMWD30UN /T3
PMWD30UN518
934057599518

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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