Número de Producto del Fabricante:
PSMN2R9-30MLC,115
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
PSMN2R9-30MLC,115-DG
Descripción:
30 V, 2.95 MILLI OHM LOGIC LEVEL
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 70A (Tc) 91W (Tc) Surface Mount LFPAK33
Inventario:
1500 Pcs Nuevos Originales En Stock
12947501
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ENVIAR
PSMN2R9-30MLC,115 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
70A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.9mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.15V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
36.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2419 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
91W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
LFPAK33
Paquete / Caja
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
960
Otros nombres
2156-PSMN2R9-30MLC,115
NEXNXPPSMN2R9-30MLC,115
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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