PSMN3R4-30BL,118
Número de Producto del Fabricante:

PSMN3R4-30BL,118

Product Overview

Fabricante:

NXP USA Inc.

Número de pieza:

PSMN3R4-30BL,118-DG

Descripción:

NOW NEXPERIA PSMN3R4-30BL - 100A
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventario:

900 Pcs Nuevos Originales En Stock
12947688
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
rwNs
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

PSMN3R4-30BL,118 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.15V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3907 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
114W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Hoja de Datos y Documentos

Información Adicional

Paquete Estándar
494
Otros nombres
2156-PSMN3R4-30BL,118
NEXNXPPSMN3R4-30BL,118

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
fairchild-semiconductor

HUF75852G3

MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3

taiwan-semiconductor

TSM035NB04CZ

MOSFET N-CH 40V 18A/157A TO220

international-rectifier

IRF6620TRPBF

IRF6620 - 12V-300V N-CHANNEL POW

stmicroelectronics

STP21NM50N

MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB