2N3663
Número de Producto del Fabricante:

2N3663

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

2N3663-DG

Descripción:

RF TRANS NPN 12V 2.1GHZ TO92-3
Descripción Detallada:
RF Transistor NPN 12V 50mA 2.1GHz 350mW Through Hole TO-92-3

Inventario:

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2N3663 Especificaciones Técnicas

Categoría
Bipolar (BJT), Transistores RF Bipolares
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo de transistor
NPN
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
12V
Frecuencia - Transición
2.1GHz
Figura de ruido (dB Typ @ f)
6.5dB @ 60MHz
Ganar
1.5dB
Potencia - Máx.
350mW
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
20 @ 8mA, 10V
Corriente - Colector (Ic) (Max)
50mA
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-92-3
Número de producto base
2N366

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
2N3663
Hoja de datos HTML
2N3663-DG

Información Adicional

Paquete Estándar
2,000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
MT3S16U(TE85L,F)
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
3106
NÚMERO DE PIEZA
MT3S16U(TE85L,F)-DG
PRECIO UNITARIO
0.08
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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FABRICANTE
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CANTIDAD DISPONIBLE
8628
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PRECIO UNITARIO
0.12
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CANTIDAD DISPONIBLE
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PRECIO UNITARIO
0.09
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CANTIDAD DISPONIBLE
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PRECIO UNITARIO
2.97
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FABRICANTE
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CANTIDAD DISPONIBLE
90531
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PRECIO UNITARIO
0.07
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