Número de Producto del Fabricante:
ATP114-TL-H
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
ATP114-TL-H-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 55A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount ATPAK
Inventario:
12921908
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ENVIAR
ATP114-TL-H Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
55A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
16mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
-
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4000 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
ATPAK
Paquete / Caja
ATPAK (2 Leads+Tab)
Número de producto base
ATP114
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
ATP114-TL-HOSDKR
ATP114-TL-HOSTR
ATP114-TL-H-DG
ATP114-TL-HOSCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
2000
NÚMERO DE PIEZA
TJ50S06M3L(T6L1,NQ-DG
PRECIO UNITARIO
0.74
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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