Número de Producto del Fabricante:
ECH8619-TL-E
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
ECH8619-TL-E-DG
Descripción:
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8ECH
Descripción Detallada:
Mosfet Array 60V 3A, 2A 1.5W Surface Mount 8-ECH
Inventario:
12839860
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ENVIAR
ECH8619-TL-E Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A, 2A
rds activados (máx.) @ id, vgs
93mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
-
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12.8nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
560pF @ 20V
Potencia - Máx.
1.5W
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivos del proveedor
8-ECH
Número de producto base
ECH8619
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
869-1156-1
ECH8619TLE
869-1156-6
869-1156-2
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
QS8M31TR
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
3630
NÚMERO DE PIEZA
QS8M31TR-DG
PRECIO UNITARIO
0.24
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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