Número de Producto del Fabricante:
EFC6601R-A-TR
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
EFC6601R-A-TR-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH EFCP2718
Descripción Detallada:
Mosfet Array 2W Surface Mount EFCP2718-6CE-020
Inventario:
12924223
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
EFC6601R-A-TR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Función FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
-
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
-
rds activados (máx.) @ id, vgs
-
vgs(th) (máx.) @ id
-
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
48nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
-
Potencia - Máx.
2W
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-XFBGA, FCBGA
Paquete de dispositivos del proveedor
EFCP2718-6CE-020
Número de producto base
EFC6601
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
2156-EFC6601R-A-TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
NVMD4N03R2G
MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
FDMA1023PZ-F106
MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
NTE2960
MOSFET 2N-CH 900V 7A TO220
