Número de Producto del Fabricante:
FCH099N65S3_F155
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FCH099N65S3_F155-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
12846774
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ENVIAR
FCH099N65S3_F155 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
SuperFET® III
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
99mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 3mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2480 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
227W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
FCH099
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
450
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TSM60NB099PW C1G
FABRICANTE
Taiwan Semiconductor Corporation
CANTIDAD DISPONIBLE
2055
NÚMERO DE PIEZA
TSM60NB099PW C1G-DG
PRECIO UNITARIO
4.18
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CANTIDAD DISPONIBLE
38
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17.23
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