Número de Producto del Fabricante:
FCH104N60F
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FCH104N60F-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 37A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
450 Pcs Nuevos Originales En Stock
12848040
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ENVIAR
FCH104N60F Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar™
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
37A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
104mOhm @ 18.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
139 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5950 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
357W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
FCH104
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TSM60NB099PW C1G
FABRICANTE
Taiwan Semiconductor Corporation
CANTIDAD DISPONIBLE
2055
NÚMERO DE PIEZA
TSM60NB099PW C1G-DG
PRECIO UNITARIO
4.18
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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R6046FNZ1C9
FABRICANTE
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CANTIDAD DISPONIBLE
278
NÚMERO DE PIEZA
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PRECIO UNITARIO
7.52
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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FABRICANTE
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CANTIDAD DISPONIBLE
228
NÚMERO DE PIEZA
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PRECIO UNITARIO
4.37
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CANTIDAD DISPONIBLE
0
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PRECIO UNITARIO
6.11
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CANTIDAD DISPONIBLE
240
NÚMERO DE PIEZA
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PRECIO UNITARIO
6.48
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