Número de Producto del Fabricante:
FCP150N65F
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FCP150N65F-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12849961
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ENVIAR
FCP150N65F Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar™
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
24A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
150mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 2.4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3737 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
298W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
FCP150
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
FCP150N65F-DG
FCP150N65FOS
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPP60R190P6XKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
5594
NÚMERO DE PIEZA
IPP60R190P6XKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.19
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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STP21N65M5
FABRICANTE
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CANTIDAD DISPONIBLE
2997
NÚMERO DE PIEZA
STP21N65M5-DG
PRECIO UNITARIO
2.32
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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TPH3206PD
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CANTIDAD DISPONIBLE
68
NÚMERO DE PIEZA
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PRECIO UNITARIO
5.39
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CANTIDAD DISPONIBLE
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PRECIO UNITARIO
1.77
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CANTIDAD DISPONIBLE
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PRECIO UNITARIO
1.44
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