Número de Producto del Fabricante:
FCP600N65S3R0
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FCP600N65S3R0-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
800 Pcs Nuevos Originales En Stock
12849487
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FCP600N65S3R0 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
SuperFET® III
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
600mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 600µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
465 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
54W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
FCP600
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
ONSONSFCP600N65S3R0
2156-FCP600N65S3R0-OS
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STP10N60M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
990
NÚMERO DE PIEZA
STP10N60M2-DG
PRECIO UNITARIO
0.51
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
AON6442
MOSFET N-CH 40V 22A/32A 8DFN
FCA47N60-F109
MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
FQP12P10
MOSFET P-CH 100V 11.5A TO220-3
