FCU2250N80Z

Número de Producto del Fabricante:

FCU2250N80Z

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FCU2250N80Z-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK

Descripción Detallada:

N-Channel 800 V 2.6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventario:

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12850644

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FCU2250N80Z Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalaje

-

Serie

SuperFET® II

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

800 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

2.6A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

2.25Ohm @ 1.3A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4.5V @ 260µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

14 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

585 pF @ 100 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

39W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

I-PAK

Paquete / Caja

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Número de producto base

FCU2250

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

1,800

Otros nombres

2166-FCU2250N80Z-488

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

Not Applicable

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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