FCU3400N80Z
Número de Producto del Fabricante:

FCU3400N80Z

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FCU3400N80Z-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 32W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventario:

12838573
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

FCU3400N80Z Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
SuperFET® II
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 200µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
400 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
32W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I-PAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
FCU3400

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
1,800
Otros nombres
2832-FCU3400N80Z-488
2832-FCU3400N80Z

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
STU3LN80K5
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
STU3LN80K5-DG
PRECIO UNITARIO
0.45
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
onsemi

FQP6N50

MOSFET N-CH 500V 5.5A TO220-3

onsemi

FDPF7N50

MOSFET N-CH 500V 7A TO220F

onsemi

FQD4N50TM

MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK

onsemi

FQD1N80TM

MOSFET N-CH 800V 1A DPAK