FDB9406-F085
Número de Producto del Fabricante:

FDB9406-F085

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDB9406-F085-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 110A (Tc) 176W (Tj) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventario:

784 Pcs Nuevos Originales En Stock
12839681
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

FDB9406-F085 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Cut Tape (CT)
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
110A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.8mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
138 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7710 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
176W (Tj)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
FDB9406

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
800
Otros nombres
FDB9406_F085CT-DG
ONSONSFDB9406-F085
FDB9406_F085TR
FDB9406-F085CT
FDB9406_F085
FDB9406_F085TR-DG
FDB9406-F085TR
FDB9406-F085DKR
FDB9406_F085DKR
FDB9406_F085DKR-DG
2156-FDB9406-F085-OS
FDB9406_F085CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
PSMN1R1-40BS,118
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
3918
NÚMERO DE PIEZA
PSMN1R1-40BS,118-DG
PRECIO UNITARIO
1.44
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
NVMYS1D3N04CTWG
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
12475
NÚMERO DE PIEZA
NVMYS1D3N04CTWG-DG
PRECIO UNITARIO
0.85
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IPB120N04S402ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
1734
NÚMERO DE PIEZA
IPB120N04S402ATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.32
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
BUK761R6-40E,118
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
BUK761R6-40E,118-DG
PRECIO UNITARIO
1.66
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
SQM120N04-1M7L_GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
2298
NÚMERO DE PIEZA
SQM120N04-1M7L_GE3-DG
PRECIO UNITARIO
1.40
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
onsemi

HUF76439P3

MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3

onsemi

FQPF34N20

MOSFET N-CH 200V 17.5A TO220F

onsemi

NVMFS5C423NLAFT1G

MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN

onsemi

FCD7N60TM-WS

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK