Número de Producto del Fabricante:
FDD850N10LD
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDD850N10LD-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 15.3A TO252-4L
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 15.3A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventario:
12840312
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ENVIAR
FDD850N10LD Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
15.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
75mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
28.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1465 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252 (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD
Número de producto base
FDD850
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
FDD850N10LDTR
FDD850N10LDDKR
FDD850N10LDCT
FDD850N10LD-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDD850N10L
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
8609
NÚMERO DE PIEZA
FDD850N10L-DG
PRECIO UNITARIO
0.40
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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