Número de Producto del Fabricante:
FDI3652
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDI3652-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 9A/61A I2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 9A (Ta), 61A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventario:
12848698
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ENVIAR
FDI3652 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Ta), 61A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
16mOhm @ 61A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2880 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262 (I2PAK)
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
FDI3652
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
400
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDP3652
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
595
NÚMERO DE PIEZA
FDP3652-DG
PRECIO UNITARIO
0.71
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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