FDJ129P
Número de Producto del Fabricante:

FDJ129P

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDJ129P-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6 FLMP
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 4.2A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SC75-6 FLMP

Inventario:

12839515
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

FDJ129P Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
70mOhm @ 4.2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
780 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SC75-6 FLMP
Paquete / Caja
SC-75-6 FLMP
Número de producto base
FDJ129

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
FDJ129PTR-NDR
FDJ129P_NLTR
FDJ129P_NLTR-DG
FDJ129PDKR
FDJ129P_NLCT-DG
FDJ129PCT
FDJ129P_NLCT
FDJ129PTR
FDJ129P_NL
FDJ129PCT-NDR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
onsemi

FDL100N50F

MOSFET N-CH 500V 100A TO264-3

onsemi

HUFA75345S3S

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

onsemi

FDN308P

MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3

onsemi

IRLS630A

MOSFET N-CH 200V 6.5A TO220-3