Inicio
Productos
Fabricantes
Acerca de DiGi
Contáctanos
Blogs y Publicaciones
Solicitud de Cotización/Cotización
Basque
Iniciar sesión
Idioma Selectivo
Idioma actual de tu elección
Basque
Cambiar:
Inglés
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Acerca de DiGi
Sobre Nosotros
Sobre Nosotros
Nuestras Certificaciones
DiGi Introducción
Por qué DiGi
Política
Política de Calidad
Términos de uso
Cumplimiento con RoHS
Proceso de Devolución
Recursos
Categorías de Productos
Fabricantes
Blogs y Publicaciones
Servicios
Garantía de calidad
Método de Pago
Envío Global
Tarifas de Envío
Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
FDM2509NZ
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDM2509NZ-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 8.7A MICRO2X2
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 8.7A 800mW Surface Mount MicroFET 2x2 Thin
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
12848625
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nombre de contacto
*
Teléfono
*
Correo electrónico
Dirección de entrega
Mensaje
(
*
) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FDM2509NZ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.7A
rds activados (máx.) @ id, vgs
18mOhm @ 8.7A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
17nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1200pF @ 10V
Potencia - Máx.
800mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-UDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivos del proveedor
MicroFET 2x2 Thin
Número de producto base
FDM2509
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
FDM2509NZ
Hoja de datos HTML
FDM2509NZ-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
AON2801
MOSFET 2P-CH 20V 3A 6DFN
FDMB2307NZ
MOSFET 2N-CH 6MLP
AON5810
MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN
FDS8958B
MOSFET N/P-CH 30V 6.4A 8SOIC