Número de Producto del Fabricante:
FDMC86261P
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDMC86261P-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
Descripción Detallada:
P-Channel 150 V 2.7A (Ta), 9A (Tc) 2.3W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Inventario:
761 Pcs Nuevos Originales En Stock
12850619
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ENVIAR
FDMC86261P Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.7A (Ta), 9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
160mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1360 pF @ 75 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.3W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-MLP (3.3x3.3)
Paquete / Caja
8-PowerWDFN
Número de producto base
FDMC86261
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
FDMC86261PCT
FDMC86261PTR
FDMC86261PDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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