Número de Producto del Fabricante:
FDMS1D4N03S
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDMS1D4N03S-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 211A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventario:
12846493
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ENVIAR
FDMS1D4N03S Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
PowerTrench®, SyncFET™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
211A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.09mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
65 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10250 pF @ 15 V
Función FET
Schottky Diode (Body)
Disipación de potencia (máx.)
74W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
FDMS1D4
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
FDMS1D4N03SCT
FDMS1D4N03SDKR
2156-FDMS1D4N03STR
2832-FDMS1D4N03STR
FDMS1D4N03STR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
CSD17559Q5
FABRICANTE
Texas Instruments
CANTIDAD DISPONIBLE
1524
NÚMERO DE PIEZA
CSD17559Q5-DG
PRECIO UNITARIO
1.04
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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