Número de Producto del Fabricante:
FDMS86163P-23507X
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDMS86163P-23507X-DG
Descripción:
FET -100V 22.0 MOHM PQFN56
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 7.9A (Ta), 50A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventario:
12974579
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ENVIAR
FDMS86163P-23507X Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7.9A (Ta), 50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
22mOhm @ 7.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4085 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
488-FDMS86163P-23507XTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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