FDP023N08B-F102
Número de Producto del Fabricante:

FDP023N08B-F102

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDP023N08B-F102-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

890 Pcs Nuevos Originales En Stock
12838289
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
KeYE
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

FDP023N08B-F102 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
75 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.35mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.8V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
195 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13765 pF @ 37.5 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
245W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
FDP023

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
FDP023N08B-F102OS
FDP023N08B_F102
1990-FDP023N08B-F102
FDP023N08B-F102-DG
2832-FDP023N08B-F102
FDP023N08B_F102-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
onsemi

HUFA75343P3

MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3

onsemi

FQD4P40TF

MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK

onsemi

FDR6580

MOSFET N-CH 20V 11.2A SUPERSOT8

onsemi

FDS6675A

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC