FDP085N10A-F102
Número de Producto del Fabricante:

FDP085N10A-F102

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDP085N10A-F102-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 96A (Tc) 188W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

798 Pcs Nuevos Originales En Stock
12846047
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

FDP085N10A-F102 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
96A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.5mOhm @ 96A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2695 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
188W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
FDP085

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
ONSONSFDP085N10A-F102
FDP085N10A_F102
2156-FDP085N10A-F102-OS
FDP085N10A_F102-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
alpha-and-omega-semiconductor

AOD4158

MOSFET N-CH 30V 17A TO252

onsemi

FQU13N10LTU

MOSFET N-CH 100V 10A IPAK

infineon-technologies

BSS138N-E6327

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF11C60PL

MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F