Número de Producto del Fabricante:
FDP085N10A
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDP085N10A-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 96A (Tc) 188W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12846572
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ENVIAR
FDP085N10A Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
96A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.5mOhm @ 96A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2695 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
188W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
FDP085
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TK34E10N1,S1X
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
5
NÚMERO DE PIEZA
TK34E10N1,S1X-DG
PRECIO UNITARIO
0.53
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IXTP130N10T
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXTP130N10T-DG
PRECIO UNITARIO
1.59
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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CANTIDAD DISPONIBLE
291
NÚMERO DE PIEZA
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PRECIO UNITARIO
1.44
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CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
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PRECIO UNITARIO
0.86
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CANTIDAD DISPONIBLE
8029
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PRECIO UNITARIO
1.16
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