FDPF4D5N10C

Número de Producto del Fabricante:

FDPF4D5N10C

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDPF4D5N10C-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 128A TO220F

Descripción Detallada:

N-Channel 100 V 128A (Tc) 2.4W (Ta), 37.5W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventario:

898 Pcs Nuevos Originales En Stock

12839253

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FDPF4D5N10C Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalaje

Tube

Serie

PowerTrench®

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

100 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

128A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

4.5mOhm @ 100A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4V @ 310µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

68 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

5065 pF @ 50 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

2.4W (Ta), 37.5W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-220F-3

Paquete / Caja

TO-220-3 Full Pack

Número de producto base

FDPF4

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

1,000

Otros nombres

2156-FDPF4D5N10C-488

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

Not Applicable

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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