FDS3670

Número de Producto del Fabricante:

FDS3670

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDS3670-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 6.3A 8SOIC

Descripción Detallada:

N-Channel 100 V 6.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventario:

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12837232

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FDS3670 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalaje

-

Serie

PowerTrench®

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

100 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

6.3A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

6V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

32mOhm @ 6.3A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

80 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

2490 pF @ 50 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

2.5W (Ta)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

8-SOIC

Paquete / Caja

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Número de producto base

FDS36

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

2,500

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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