Número de Producto del Fabricante:
FDU6512A
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDU6512A-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 10.7A (Ta), 36A (Tc) 3.8W (Ta), 43W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventario:
12847498
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ENVIAR
FDU6512A Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10.7A (Ta), 36A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
21mOhm @ 10.7A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
19 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1082 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.8W (Ta), 43W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I-PAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
FDU65
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,800
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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