FDU6N50TU
Número de Producto del Fabricante:

FDU6N50TU

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDU6N50TU-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 500V 6A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 6A (Tc) 89W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventario:

12846967
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

FDU6N50TU Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
UniFET™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
900mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
16.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
940 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I-PAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
FDU6

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
70

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
onsemi

FQI13N06TU

MOSFET N-CH 60V 13A I2PAK

nexperia

BUK9M6R6-30EX

MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33

onsemi

IRL540A

MOSFET N-CH 100V 28A TO220-3

onsemi

NTMFS5H419NLT1G

MOSFET N-CH 40V 29A/155A 5DFN