Número de Producto del Fabricante:
FQA13N50C-F109
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQA13N50C-F109-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 13.5A (Tc) 218W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventario:
12838434
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ENVIAR
FQA13N50C-F109 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
13.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
480mOhm @ 6.75A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2055 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
218W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3P
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base
FQA13
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
450
Otros nombres
FQA13N50C_F109
2832-FQA13N50C-F109
FQA13N50C_F109-DG
FQA13N50CF109
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TK39J60W,S1VQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
22
NÚMERO DE PIEZA
TK39J60W,S1VQ-DG
PRECIO UNITARIO
5.38
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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