FQA16N25C
Número de Producto del Fabricante:

FQA16N25C

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FQA16N25C-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 250V 17.8A TO3P
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 17.8A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventario:

12849669
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

FQA16N25C Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
17.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
270mOhm @ 8.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
53.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1080 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3P
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base
FQA1

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
450

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
onsemi

FDC640P_F095

MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6

onsemi

FQP11N40

MOSFET N-CH 400V 11.4A TO220-3

onsemi

FDT86113LZ

MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4

onsemi

FDP5800

MOSFET N-CH 60V 14A/80A TO220-3