Número de Producto del Fabricante:
FQA55N10
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQA55N10-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 61A TO3P
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 61A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventario:
12847522
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ENVIAR
FQA55N10 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
61A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
26mOhm @ 30.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2730 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
190W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3P
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base
FQA5
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
450
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
2SK1317-E
FABRICANTE
Renesas Electronics Corporation
CANTIDAD DISPONIBLE
5608
NÚMERO DE PIEZA
2SK1317-E-DG
PRECIO UNITARIO
3.29
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IXTQ75N10P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
3
NÚMERO DE PIEZA
IXTQ75N10P-DG
PRECIO UNITARIO
2.44
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
HUF75639G3
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
415
NÚMERO DE PIEZA
HUF75639G3-DG
PRECIO UNITARIO
1.49
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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