Número de Producto del Fabricante:
FQA90N10V2
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQA90N10V2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 105A TO3P
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 105A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventario:
12850229
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FQA90N10V2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
105A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10mOhm @ 52.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
191 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6150 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
330W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3P
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base
FQA9
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFP4310ZPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
1902
NÚMERO DE PIEZA
IRFP4310ZPBF-DG
PRECIO UNITARIO
2.10
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
2SK1317-E
FABRICANTE
Renesas Electronics Corporation
CANTIDAD DISPONIBLE
5608
NÚMERO DE PIEZA
2SK1317-E-DG
PRECIO UNITARIO
3.29
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
