Número de Producto del Fabricante:
FQB19N10LTM
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQB19N10LTM-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 19A (Tc) 3.75W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12836854
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ENVIAR
FQB19N10LTM Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
19A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
870 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.75W (Ta), 75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
FQB1
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRL530NSTRLPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
21055
NÚMERO DE PIEZA
IRL530NSTRLPBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.52
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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