Número de Producto del Fabricante:
FQB5N60CTM-WS
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQB5N60CTM-WS-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
763 Pcs Nuevos Originales En Stock
12847384
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ENVIAR
FQB5N60CTM-WS Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Cut Tape (CT)
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.5Ohm @ 2.25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
670 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
FQB5N60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
2832-FQB5N60CTM-WS-488
FQB5N60CTM-WSDKR
FQB5N60CTM_WSDKR-DG
FQB5N60CTM_WSCT
FQB5N60CTM-WSCT
FQB5N60CTM_WSCT-DG
FQB5N60CTM_WS
FQB5N60CTM_WSTR
FQB5N60CTM-WSTR
FQB5N60CTM_WSDKR
FQB5N60CTM_WSTR-DG
2832-FQB5N60CTM-WSTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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