Número de Producto del Fabricante:
FQD12N20LTM-F085P
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQD12N20LTM-F085P-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 9A TO252
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
1135 Pcs Nuevos Originales En Stock
12846840
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ENVIAR
FQD12N20LTM-F085P Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
QFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
280mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
21 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1080 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
FQD12N20
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
488-FQD12N20LTM-F085PCT
488-FQD12N20LTM-F085PTR
488-FQD12N20LTM-F085PDKR
FQD12N20LTM-F085P-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FQD12N20LTM
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
4955
NÚMERO DE PIEZA
FQD12N20LTM-DG
PRECIO UNITARIO
0.27
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
NÚMERO DE PARTE
FQD12N20LTM-F085
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
10000
NÚMERO DE PIEZA
FQD12N20LTM-F085-DG
PRECIO UNITARIO
0.43
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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