Número de Producto del Fabricante:
FQD2N100TM
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FQD2N100TM-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 1000 V 1.6A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
12845820
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ENVIAR
FQD2N100TM Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1000 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9Ohm @ 800mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
520 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
FQD2N100
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
FQD2N100TMTR
FQD2N100TM-DG
FQD2N100TMCT
ONSONSFQD2N100TM
2832-FQD2N100TM
2156-FQD2N100TM-OS
FQD2N100TMDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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